JMTE3002B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTE3002B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 574 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0026 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de JMTE3002B MOSFET
JMTE3002B Datasheet (PDF)
jmte3002b.pdf
JMTE3002BDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 30V, 180A Load SwitchRDS(ON)
jmte3003a.pdf
JMTE3003ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETApplicationsFeatures 30V, 150A Load SwitchRDS(ON)
Otros transistores... JMTD2N7002KS , JMTD3134K , JMTE018N03A , JMTE025N04D , JMTE035N04A , JMTE035N06D , JMTE060N06A , JMTE068N07A , 5N60 , JMTE3003A , JMTE6888A , JMTK110N06A , JMTK120N03A , JMTK130P04A , JMTK1404A1 , JMTK160P03A , JMTK170N10A .
History: HGB039N12S | HGB039N08S | HGP039N12S | HGA037N10T | JMTQ200P03A | VBM1101N | JMTQ240C03D
History: HGB039N12S | HGB039N08S | HGP039N12S | HGA037N10T | JMTQ200P03A | VBM1101N | JMTQ240C03D
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SSC8P22CN2 | SSC8P22AN3 | SSC8P20AN2 | SSC8K23GN2 | SSC8K21GN3 | SSC8415GS6 | AP20P01BF | AP20N10D | AP20N06S | AP20N06D | AP20N06BD | AP20N03D | AP20N02DF | AP20N02BF | AP20H04NF | AP20H03NF
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