JMTE3002B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTE3002B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 574 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для JMTE3002B
JMTE3002B Datasheet (PDF)
..1. Size:516K jiejie micro
jmte3002b.pdf
jmte3002b.pdf
JMTE3002BDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 30V, 180A Load SwitchRDS(ON)
7.1. Size:418K jiejie micro
jmte3003a.pdf
jmte3003a.pdf
JMTE3003ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETApplicationsFeatures 30V, 150A Load SwitchRDS(ON)
Другие MOSFET... JMTD2N7002KS , JMTD3134K , JMTE018N03A , JMTE025N04D , JMTE035N04A , JMTE035N06D , JMTE060N06A , JMTE068N07A , 5N60 , JMTE3003A , JMTE6888A , JMTK110N06A , JMTK120N03A , JMTK130P04A , JMTK1404A1 , JMTK160P03A , JMTK170N10A .
History: VBM1101N | HGB039N08S | JMTQ200P03A | HGB039N12S | JMTQ240C03D | HGP039N12S
History: VBM1101N | HGB039N08S | JMTQ200P03A | HGB039N12S | JMTQ240C03D | HGP039N12S
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SSC8P22CN2 | SSC8P22AN3 | SSC8P20AN2 | SSC8K23GN2 | SSC8K21GN3 | SSC8415GS6 | AP20P01BF | AP20N10D | AP20N06S | AP20N06D | AP20N06BD | AP20N03D | AP20N02DF | AP20N02BF | AP20H04NF | AP20H03NF
Popular searches
2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor