JMTE3002B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTE3002B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 574 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для JMTE3002B
JMTE3002B Datasheet (PDF)
jmte3002b.pdf
JMTE3002BDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 30V, 180A Load SwitchRDS(ON)
jmte3003a.pdf
JMTE3003ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETApplicationsFeatures 30V, 150A Load SwitchRDS(ON)
Другие MOSFET... JMTD2N7002KS , JMTD3134K , JMTE018N03A , JMTE025N04D , JMTE035N04A , JMTE035N06D , JMTE060N06A , JMTE068N07A , AON7410 , JMTE3003A , JMTE6888A , JMTK110N06A , JMTK120N03A , JMTK130P04A , JMTK1404A1 , JMTK160P03A , JMTK170N10A .
History: WST2307 | ME7306-G | JMTE025N04D | ME70N10T | AP6P03SI | GSM3679S | ME70N03S-G
History: WST2307 | ME7306-G | JMTE025N04D | ME70N10T | AP6P03SI | GSM3679S | ME70N03S-G
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
2n4401 | bc547 transistor | bd139 | 2n4401 datasheet | irf640 | irf840 | irf740 | c945 transistor