JMTK170N10A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTK170N10A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 153 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 59 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 232 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TO252

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

JMTK170N10A datasheet

..1. Size:362K jiejie micro
jmtk170n10a.pdf pdf_icon

JMTK170N10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V,59A Load Switch R

9.1. Size:1068K jiejie micro
jmtk100n02a.pdf pdf_icon

JMTK100N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 30A Load Switch RDS(ON)

9.2. Size:1298K jiejie micro
jmtk110n06a.pdf pdf_icon

60V, 55A, 8m N-channel Power Trench MOSFET JMTK110N06A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 55 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-252

9.3. Size:879K jiejie micro
jmtk120n03a.pdf pdf_icon