JMTK170N10A datasheet, аналоги, параметры транзистора

JMTK170N10A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTK170N10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 153 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 59 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 232 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для JMTK170N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

JMTK170N10A даташит

..1. Size:362K jiejie micro
jmtk170n10a.pdf pdf_icon

JMTK170N10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V,59A Load Switch R

9.1. Size:1068K jiejie micro
jmtk100n02a.pdf pdf_icon

JMTK100N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 30A Load Switch RDS(ON)

9.2. Size:1298K jiejie micro
jmtk110n06a.pdf pdf_icon

60V, 55A, 8m N-channel Power Trench MOSFET JMTK110N06A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 55 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-252

9.3. Size:879K jiejie micro
jmtk120n03a.pdf pdf_icon