JMTK2006A Todos los transistores

 

JMTK2006A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTK2006A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 278 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JMTK2006A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1119K  jiejie micro
 jmtk2006a.pdf pdf_icon

JMTK2006A

JMTK2006ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 20V, 60A Load SwitchRDS(ON)

 7.1. Size:883K  jiejie micro
 jmtk2007a.pdf pdf_icon

JMTK2006A

JMTK2007ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 50A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:1156K  jiejie micro
 jmtk290n06a.pdf pdf_icon

JMTK2006A

60V, 30A, 28m N-channel Power Trench MOSFETJMTK290N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TESTEDVDSS 60 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 30 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 25 mW Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 28 mWApplications Load Switch PWM

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History: WFF12N65 | WFF13N50

 

 
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