JMTK2006A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTK2006A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 278 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm

Encapsulados: TO252

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JMTK2006A datasheet

 ..1. Size:1119K  jiejie micro
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JMTK2006A

JMTK2006A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 60A Load Switch RDS(ON)

 7.1. Size:883K  jiejie micro
 jmtk2007a.pdf pdf_icon

JMTK2006A

JMTK2007A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 50A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:1156K  jiejie micro
 jmtk290n06a.pdf pdf_icon

JMTK2006A

60V, 30A, 28m N-channel Power Trench MOSFET JMTK290N06A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 60 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 30 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 25 mW Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 28 mW Applications Load Switch PWM

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