JMTK2006A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTK2006A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 278 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для JMTK2006A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTK2006A даташит

 ..1. Size:1119K  jiejie micro
 jmtk2006a.pdf pdf_icon

JMTK2006A

JMTK2006A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 60A Load Switch RDS(ON)

 7.1. Size:883K  jiejie micro
 jmtk2007a.pdf pdf_icon

JMTK2006A

JMTK2007A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 50A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:1156K  jiejie micro
 jmtk290n06a.pdf pdf_icon

JMTK2006A

60V, 30A, 28m N-channel Power Trench MOSFET JMTK290N06A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 60 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 30 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 25 mW Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 28 mW Applications Load Switch PWM

Другие IGBT... JMTE3003A, JMTE6888A, JMTK110N06A, JMTK120N03A, JMTK130P04A, JMTK1404A1, JMTK160P03A, JMTK170N10A, AON7506, JMTK2007A, JMTK290N06A, JMTK3002B, JMTK3003A, JMTK3004A, JMTK3005A, JMTK3005B, JMTK3005C