JMTK3003A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTK3003A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 494 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0034 Ohm
Encapsulados: TO252
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JMTK3003A datasheet
jmtk3003a.pdf
JMTK3003A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 150A Load Switch RDS(ON)
jmtk3006d.pdf
30V, 80A, 6.3m N-channel Power Trench MOSFET JMTK3006D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 80 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.9 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 6.3 mW Applications Load Switch PWM Application Pow
jmtk3005a.pdf
JMTK3005A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications Load Switch 30V, 100A PWM Application RDS(ON)
jmtk3006b.pdf
JMTK3006B Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 70A Load Switch RDS(ON)
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