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JMTM300C02D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTM300C02D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.03 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

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JMTM300C02D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1255K  jiejie micro
 jmtm300c02d.pdf pdf_icon

JMTM300C02D

JMTM300C02DDescriptionJMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications N-channel: 20V, 3.8A Battery ProtectionRDS(ON)

 7.1. Size:715K  jiejie micro
 jmtm300n03d.pdf pdf_icon

JMTM300C02D

JMTM300N03DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFETFeaturesApplications 30V, 4.8A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:331K  jiejie micro
 jmtm3406d.pdf pdf_icon

JMTM300C02D

JMTM3406DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 30V, 3.8A Load SwitchR

 9.2. Size:1279K  jiejie micro
 jmtm330n06a.pdf pdf_icon

JMTM300C02D

60V, 4.8A, 35m N-channel Power Trench MOSFETJMTM330N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit Halogen-free; RoHS-compliantVDSS 60 V Pb-free platingVGS(th)_Typ 1.6 VID(@VGS=10V) 4.8 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 31 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 35 mW PWM Application Power ManagementSOT-23-

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History: JMTM850P04A | JMTN11DN10A

 

 
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