JMTM300C02D - аналоги и даташиты транзистора

 

JMTM300C02D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMTM300C02D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.03 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для JMTM300C02D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTM300C02D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1255K  jiejie micro
jmtm300c02d.pdfpdf_icon

JMTM300C02D

JMTM300C02DDescriptionJMT N And P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications N-channel: 20V, 3.8A Battery ProtectionRDS(ON)

 7.1. Size:715K  jiejie micro
jmtm300n03d.pdfpdf_icon

JMTM300C02D

JMTM300N03DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFETFeaturesApplications 30V, 4.8A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:331K  jiejie micro
jmtm3406d.pdfpdf_icon

JMTM300C02D

JMTM3406DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 30V, 3.8A Load SwitchR

 9.2. Size:1279K  jiejie micro
jmtm330n06a.pdfpdf_icon

JMTM300C02D

60V, 4.8A, 35m N-channel Power Trench MOSFETJMTM330N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit Halogen-free; RoHS-compliantVDSS 60 V Pb-free platingVGS(th)_Typ 1.6 VID(@VGS=10V) 4.8 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 31 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 35 mW PWM Application Power ManagementSOT-23-

Другие MOSFET... JMTK3005A , JMTK3005B , JMTK3005C , JMTK3005L , JMTLB2N7002KDS , JMTLB3134K , JMTM170N04A , JMTM2310A , 7N60 , JMTM300N03D , JMTM330N06A , JMTM3406D , JMTM3415KL , JMTM8205A , JMTM8205B , JMTM850P04A , JMTM8810KS .

History: JMTM850P04A | JMTN11DN10A

 

 
Back to Top

 


 
.