JMTM3406D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTM3406D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 2.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

 Búsqueda de reemplazo de JMTM3406D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMTM3406D datasheet

 ..1. Size:331K  jiejie micro
 jmtm3406d.pdf pdf_icon

JMTM3406D

JMTM3406D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V, 3.8A Load Switch R

 8.1. Size:391K  jiejie micro
 jmtm3415kl.pdf pdf_icon

JMTM3406D

JMTM3415KL Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -20V, I = -4.1A PWM Applications DS D R

 9.1. Size:715K  jiejie micro
 jmtm300n03d.pdf pdf_icon

JMTM3406D

JMTM300N03D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications 30V, 4.8A Load Switch RDS(ON)

 9.2. Size:1279K  jiejie micro
 jmtm330n06a.pdf pdf_icon

JMTM3406D

60V, 4.8A, 35m N-channel Power Trench MOSFET JMTM330N06A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit Halogen-free; RoHS-compliant VDSS 60 V Pb-free plating VGS(th)_Typ 1.6 V ID(@VGS=10V) 4.8 A Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 31 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 35 mW PWM Application Power Management SOT-23-

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMTK3005L, JMTLB2N7002KDS, JMTLB3134K, JMTM170N04A, JMTM2310A, JMTM300C02D, JMTM300N03D, JMTM330N06A, IRF520, JMTM3415KL, JMTM8205A, JMTM8205B, JMTM850P04A, JMTM8810KS, JMTN11DN10A, JMTN2310A, JMTN330N06A