JMTM8205B Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTM8205B
Código: 8205B
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.7 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 79 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0226 Ohm
Encapsulados: SOT23-6L
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JMTM8205B datasheet
jmtm8205b.pdf
JMTM8205B Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applicatio 20V, 6A Load Switch RDS(ON)
jmtm8205a.pdf
JMTM8205A Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applicatio l 19.5V, 5A l Load Switch RDS(ON)
jmtm850p04a.pdf
JMTM850P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -40V, I = -5A PWM Applications DS D R
jmtm8810ks.pdf
JMTM8810KS Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 20V, 4.8A Load Switch R
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History: JMTQ160P03A
🌐 : EN ES РУ
Liste
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