JMTM8205B datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTM8205B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0226 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для JMTM8205B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTM8205B даташит

 ..1. Size:975K  jiejie micro
jmtm8205b.pdfpdf_icon

JMTM8205B

JMTM8205B Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applicatio 20V, 6A Load Switch RDS(ON)

 6.1. Size:986K  jiejie micro
jmtm8205a.pdfpdf_icon

JMTM8205B

JMTM8205A Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applicatio l 19.5V, 5A l Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:477K  jiejie micro
jmtm850p04a.pdfpdf_icon

JMTM8205B

JMTM850P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -40V, I = -5A PWM Applications DS D R

 9.2. Size:331K  jiejie micro
jmtm8810ks.pdfpdf_icon

JMTM8205B

JMTM8810KS Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 20V, 4.8A Load Switch R

Другие IGBT... JMTM170N04A, JMTM2310A, JMTM300C02D, JMTM300N03D, JMTM330N06A, JMTM3406D, JMTM3415KL, JMTM8205A, IRFZ24N, JMTM850P04A, JMTM8810KS, JMTN11DN10A, JMTN2310A, JMTN330N06A, JMTQ11DP03A, JMTQ120C03D, JMTQ120N03A