JMTM8810KS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTM8810KS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.76 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

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JMTM8810KS datasheet

..1. Size:331K jiejie micro
jmtm8810ks.pdf pdf_icon

JMTM8810KS Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 20V, 4.8A Load Switch R

9.1. Size:477K jiejie micro
jmtm850p04a.pdf pdf_icon

JMTM850P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -40V, I = -5A PWM Applications DS D R

9.2. Size:986K jiejie micro
jmtm8205a.pdf pdf_icon

JMTM8205A Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applicatio l 19.5V, 5A l Load Switch RDS(ON)

9.3. Size:975K jiejie micro
jmtm8205b.pdf pdf_icon

JMTM8205B Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applicatio 20V, 6A Load Switch RDS(ON)