JMTQ130P04A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTQ130P04A

Código: Q130P04A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 68 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 82 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3-8L

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

JMTQ130P04A datasheet

..1. Size:467K jiejie micro
jmtq130p04a.pdf pdf_icon

JMTQ130P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -40V, I = -30A PWM Applications DS D R

7.1. Size:1176K jiejie micro
jmtq130n04d.pdf pdf_icon

JMTQ130N04D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 20A Load Switch RDS(ON)

9.1. Size:607K jiejie micro
jmtq120c03d.pdf pdf_icon

JMTQ120C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 11A Battery Protection R

9.2. Size:1391K jiejie micro
jmtq120n04d.pdf pdf_icon

40V, 29A, 15m N-channel Power Trench MOSFET JMTQ120N04D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 29 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 14 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 15 mW Applications Load Switch PWM