JMTQ160P03A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTQ160P03A

Código: Q160P03A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 5.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 22 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 273 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3-8L

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- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

JMTQ160P03A datasheet

..1. Size:473K jiejie micro
jmtq160p03a.pdf pdf_icon

JMTQ160P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -30V, I = -15A PWM Applications DS D R

9.1. Size:607K jiejie micro
jmtq120c03d.pdf pdf_icon

JMTQ120C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 11A Battery Protection R

9.2. Size:467K jiejie micro
jmtq130p04a.pdf pdf_icon

JMTQ130P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -40V, I = -30A PWM Applications DS D R

9.3. Size:1176K jiejie micro
jmtq130n04d.pdf pdf_icon

JMTQ130N04D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 20A Load Switch RDS(ON)