JMTQ170C04D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTQ170C04D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3-8L-D

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JMTQ170C04D datasheet

 ..1. Size:1674K  jiejie micro
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JMTQ170C04D

40V, 14A, 21m &38m N And P-channel Power Trench MOSFET JMTQ170C04D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters N P Unit 100% UIS Tested VDSS 40 -40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.7 -1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 14 -14 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 16 32 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 21 38 mW Applic

 9.1. Size:607K  jiejie micro
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JMTQ170C04D

JMTQ120C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 11A Battery Protection R

 9.2. Size:467K  jiejie micro
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JMTQ170C04D

JMTQ130P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -40V, I = -30A PWM Applications DS D R

 9.3. Size:1176K  jiejie micro
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JMTQ170C04D

JMTQ130N04D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 20A Load Switch RDS(ON)

Otros transistores... JMTQ11DP03A, JMTQ120C03D, JMTQ120N03A, JMTQ120N03D, JMTQ120N04D, JMTQ130N04D, JMTQ130P04A, JMTQ160P03A, IRF9640, JMTQ190N03A, JMTQ200P03A, JMTQ220N04D, JMTQ230N04D, JMTQ240C03D, JMTQ240N03A, JMTQ240N03D, JMSL0406AP