JMTQ170C04D datasheet, аналоги, параметры транзистора

JMTQ170C04D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTQ170C04D

Маркировка: Q170C04D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L-D

Аналог (замена) для JMTQ170C04D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

JMTQ170C04D даташит

..1. Size:1674K jiejie micro
jmtq170c04d.pdf pdf_icon

40V, 14A, 21m &38m N And P-channel Power Trench MOSFET JMTQ170C04D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters N P Unit 100% UIS Tested VDSS 40 -40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.7 -1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 14 -14 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 16 32 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 21 38 mW Applic

9.1. Size:607K jiejie micro
jmtq120c03d.pdf pdf_icon