DMN26D0UT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN26D0UT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.23 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14.1 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: SOT523

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DMN26D0UT datasheet

 ..1. Size:145K  diodes
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DMN26D0UT

DMN26D0UT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SOT-523 3.0 @ 4.5V Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 4.0 @ 2.5V Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 6.0 @ 1.8V

 6.1. Size:325K  diodes
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DMN26D0UT

DMN26D0UDJ DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Dual N-Channel MOSFET V(BR)DSS RDS(on) TA = +25 C Low On-Resistance 3.0 @ VGS= 4.5V 240mA 3.0 @ 4.5V 20V 180mA 6.0 @ VGS= 1.8V 4.0 @ 2.5V 6.0 @ 1.8V 10 @ 1.5V Description Very Low Gate Threshold Voltage, 1.05V Max This new

 6.2. Size:122K  diodes
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DMN26D0UT

DMN26D0UFB4 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data N-Channel MOSFET Case DFN1006H4-3 Low On-Resistance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 3.0 @ 4.5V Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 4.0 @ 2.5V Terminal Connections See Diag

 6.3. Size:1814K  cn tech public
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DMN26D0UT

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