DMN26D0UT Todos los transistores

 

DMN26D0UT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMN26D0UT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.23 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14.1 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523
 

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DMN26D0UT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  diodes
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DMN26D0UT

DMN26D0UTN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance: Case: SOT-523 3.0 @ 4.5V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 4.0 @ 2.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 6.0 @ 1.8V

 6.1. Size:325K  diodes
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DMN26D0UT

DMN26D0UDJ DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Dual N-Channel MOSFET V(BR)DSS RDS(on) TA = +25C Low On-Resistance: 3.0 @ VGS= 4.5V 240mA 3.0@ 4.5V 20V 180mA 6.0 @ VGS= 1.8V 4.0@ 2.5V 6.0@1.8V 10@1.5V Description Very Low Gate Threshold Voltage, 1.05V Max This new

 6.2. Size:122K  diodes
 dmn26d0ufb4.pdf pdf_icon

DMN26D0UT

DMN26D0UFB4N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data N-Channel MOSFET Case: DFN1006H4-3 Low On-Resistance: Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 3.0 @ 4.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 4.0 @ 2.5V Terminal Connections: See Diag

 6.3. Size:1814K  cn tech public
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DMN26D0UT

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History: SSF2316E | TPCP8106 | FIR20N60FG | VS3640DE

 

 
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