JMSL040SAGQ Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL040SAGQ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 387 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3738 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00075 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

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JMSL040SAGQ datasheet

 ..1. Size:666K  jiejie micro
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JMSL040SAGQ

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JMSL040SAGQ

 6.1. Size:1235K  jiejie micro
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JMSL040SAGQ

40V, 330A, 1.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSL040SPG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 330 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.7 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 1.0 mW Applications Load Switch PWM Application Pow

 6.2. Size:1256K  jiejie micro
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JMSL040SAGQ

40V, 486A, 0.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSL040SMTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 486 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10x1

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