JMSL040SAGQ Todos los transistores

 

JMSL040SAGQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL040SAGQ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 387 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3738 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00075 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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JMSL040SAGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:666K  jiejie micro
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JMSL040SAGQ

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JMSL040SAGQ

 6.1. Size:1235K  jiejie micro
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JMSL040SAGQ

40V, 330A, 1.0m N-channel Power SGT MOSFETJMSL040SPGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 330 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.7 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 1.0 mWApplications Load Switch PWM Application Pow

 6.2. Size:1256K  jiejie micro
 jmsl040smtl.pdf pdf_icon

JMSL040SAGQ

40V, 486A, 0.6m N-channel Power SGT MOSFETJMSL040SMTLProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 486 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.6 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPowerJE10x1

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