JMSL040SAGQ - аналоги и даташиты транзистора

 

JMSL040SAGQ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSL040SAGQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 387 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3738 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00075 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSL040SAGQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL040SAGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:666K  jiejie micro
 jmsl040sagq.pdf pdf_icon

JMSL040SAGQ

 4.1. Size:320K  jiejie micro
 jmsl040sag.pdf pdf_icon

JMSL040SAGQ

 6.1. Size:1235K  jiejie micro
 jmsl040spg.pdf pdf_icon

JMSL040SAGQ

40V, 330A, 1.0m N-channel Power SGT MOSFETJMSL040SPGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 330 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.7 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 1.0 mWApplications Load Switch PWM Application Pow

 6.2. Size:1256K  jiejie micro
 jmsl040smtl.pdf pdf_icon

JMSL040SAGQ

40V, 486A, 0.6m N-channel Power SGT MOSFETJMSL040SMTLProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 486 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.6 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPowerJE10x1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top

 


 
.