JMTK080P03A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTK080P03A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 471 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMTK080P03A
Principales características: JMTK080P03A
jmtk080p03a.pdf
JMTK080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -60A Load Switch RDS(ON)
jmtk085p04a.pdf
JMTK085P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -40V, I = -70A PWM Applications DS D R
jmtk060p03a.pdf
-30V, -90A, 4.2m P-channel Power Trench MOSFET JMTK060P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS -30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ -1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -90 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 4.2 mW Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 6.3 mW Applications Load Switc
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History: IRF2804
History: IRF2804
Liste
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