JMTK080P03A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTK080P03A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 471 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm

Encapsulados: TO252

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de JMTK080P03A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

JMTK080P03A datasheet

 ..1. Size:929K  jiejie micro
 jmtk080p03a.pdf pdf_icon

JMTK080P03A

JMTK080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -60A Load Switch RDS(ON)

 8.1. Size:413K  jiejie micro
 jmtk085p04a.pdf pdf_icon

JMTK080P03A

JMTK085P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -40V, I = -70A PWM Applications DS D R

 9.1. Size:1320K  jiejie micro
 jmtk060p03a.pdf pdf_icon

JMTK080P03A

-30V, -90A, 4.2m P-channel Power Trench MOSFET JMTK060P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS -30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ -1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -90 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 4.2 mW Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 6.3 mW Applications Load Switc

 9.2. Size:1297K  jiejie micro
 jmtk035n04l.pdf pdf_icon

JMTK080P03A

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMTI50N06B, JMTI60N04A, JMTK018N03A, JMTK035N04L, JMTK050P03A, JMTK060N06A, JMTK060P03A, JMTK068N07A, IRFP250N, JMTP045N03A, JMTP075N06A, JMTP080N04A, JMTP080N04D, JMTP080P03A, JMTP085P02A, JMTP110N06A, JMTP110N06D