JMTP045N03A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTP045N03A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMTP045N03A
Principales características: JMTP045N03A
jmtp045n03a.pdf
JMTP045N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V, 20A Load Switch R
jmtp085p02a.pdf
JMTP085P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V =-20V, I =-15A PWM Applications DS D R
jmtp080p03a.pdf
JMTP080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -15A Load Switch RDS(ON)
jmtp080n04a.pdf
JMTP080N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 15A Load Switch RDS(ON)
Otros transistores... JMTI60N04A , JMTK018N03A , JMTK035N04L , JMTK050P03A , JMTK060N06A , JMTK060P03A , JMTK068N07A , JMTK080P03A , IRF630 , JMTP075N06A , JMTP080N04A , JMTP080N04D , JMTP080P03A , JMTP085P02A , JMTP110N06A , JMTP110N06D , JMTP11DN10A .
Liste
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