JMTP045N03A datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JMTP045N03A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для JMTP045N03A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMTP045N03A даташит
jmtp045n03a.pdf
JMTP045N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V, 20A Load Switch R
jmtp085p02a.pdf
JMTP085P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V =-20V, I =-15A PWM Applications DS D R
jmtp080p03a.pdf
JMTP080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -15A Load Switch RDS(ON)
jmtp080n04a.pdf
JMTP080N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 15A Load Switch RDS(ON)
Другие IGBT... JMTI60N04A, JMTK018N03A, JMTK035N04L, JMTK050P03A, JMTK060N06A, JMTK060P03A, JMTK068N07A, JMTK080P03A, IRF630, JMTP075N06A, JMTP080N04A, JMTP080N04D, JMTP080P03A, JMTP085P02A, JMTP110N06A, JMTP110N06D, JMTP11DN10A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ | ASDM60N45KQ | ASDM60N30KQ | ASDM540G | ASDM4976S | ASDM4606S | ASDM40R009NQ | ASDM40N80KQ | ASDM40N60KQ
Popular searches
irfb4110 | tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193






