JMTP075N06A Todos los transistores

 

JMTP075N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTP075N06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.1 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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JMTP075N06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:583K  jiejie micro
 jmtp075n06a.pdf pdf_icon

JMTP075N06A

JMTP075N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,17A Load Switch R

 9.1. Size:414K  jiejie micro
 jmtp085p02a.pdf pdf_icon

JMTP075N06A

JMTP085P02ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application V =-20V, I =-15A PWM ApplicationsDS DR

 9.2. Size:1120K  jiejie micro
 jmtp080p03a.pdf pdf_icon

JMTP075N06A

JMTP080P03ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -15A Load SwitchRDS(ON)

 9.3. Size:370K  jiejie micro
 jmtp045n03a.pdf pdf_icon

JMTP075N06A

JMTP045N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 30V, 20A Load SwitchR

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