JMTP075N06A datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JMTP075N06A 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: SOP8
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для JMTP075N06A
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMTP075N06A даташит
jmtp075n06a.pdf
JMTP075N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,17A Load Switch R
jmtp085p02a.pdf
JMTP085P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V =-20V, I =-15A PWM Applications DS D R
jmtp080p03a.pdf
JMTP080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -15A Load Switch RDS(ON)
jmtp045n03a.pdf
JMTP045N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 30V, 20A Load Switch R
Другие IGBT... JMTK018N03A, JMTK035N04L, JMTK050P03A, JMTK060N06A, JMTK060P03A, JMTK068N07A, JMTK080P03A, JMTP045N03A, IRF9540, JMTP080N04A, JMTP080N04D, JMTP080P03A, JMTP085P02A, JMTP110N06A, JMTP110N06D, JMTP11DN10A, JMTQ025N02A
History: JMTP080N04D | JMTK018N03A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
Popular searches
tip36c | bd139 transistor | irf840 datasheet | ge10001 | irf830 | irfp450 | mj21193 | s9014 transistor






