JMTP110N06D Todos los transistores

 

JMTP110N06D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTP110N06D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 183 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMTP110N06D

 

Principales características: JMTP110N06D

 ..1. Size:1274K  jiejie micro
 jmtp110n06d.pdf pdf_icon

JMTP110N06D

 4.1. Size:582K  jiejie micro
 jmtp110n06a.pdf pdf_icon

JMTP110N06D

JMTP110N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,12A Load Switch R

 8.1. Size:583K  jiejie micro
 jmtp11dn10a.pdf pdf_icon

JMTP110N06D

JMTP11DN10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V, 3A Load Switch R

 9.1. Size:1383K  jiejie micro
 jmtp160p03d.pdf pdf_icon

JMTP110N06D

-30V, -11A, 16m P-channel Power Trench MOSFET JMTP160P03D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V Halogen-free; RoHS-compliant VGS(th)_Typ -1.7 V Pb-free plating ID(@VGS=10V) -11 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 12 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 16 mW Load Switch PWM Application

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMTK080P03A , JMTP045N03A , JMTP075N06A , JMTP080N04A , JMTP080N04D , JMTP080P03A , JMTP085P02A , JMTP110N06A , IRF4905 , JMTP11DN10A , JMTQ025N02A , JMTQ040N03A , JMTQ050N02A , JMTQ055N04A , JMTQ062N04A , JMTQ075N03D , JMTQ080P03A .

History: IRFZ48NPBF

 

 
Back to Top

 


 
.