JMTP11DN10A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTP11DN10A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm

Encapsulados: SOP8

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JMTP11DN10A datasheet

 ..1. Size:583K  jiejie micro
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JMTP11DN10A

JMTP11DN10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V, 3A Load Switch R

 8.1. Size:582K  jiejie micro
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JMTP11DN10A

JMTP110N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,12A Load Switch R

 8.2. Size:1274K  jiejie micro
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JMTP11DN10A

 9.1. Size:1383K  jiejie micro
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JMTP11DN10A

-30V, -11A, 16m P-channel Power Trench MOSFET JMTP160P03D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V Halogen-free; RoHS-compliant VGS(th)_Typ -1.7 V Pb-free plating ID(@VGS=10V) -11 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 12 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 16 mW Load Switch PWM Application

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