JMTP11DN10A Todos los transistores

 

JMTP11DN10A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTP11DN10A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMTP11DN10A

 

Principales características: JMTP11DN10A

 ..1. Size:583K  jiejie micro
 jmtp11dn10a.pdf pdf_icon

JMTP11DN10A

JMTP11DN10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V, 3A Load Switch R

 8.1. Size:582K  jiejie micro
 jmtp110n06a.pdf pdf_icon

JMTP11DN10A

JMTP110N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,12A Load Switch R

 8.2. Size:1274K  jiejie micro
 jmtp110n06d.pdf pdf_icon

JMTP11DN10A

 9.1. Size:1383K  jiejie micro
 jmtp160p03d.pdf pdf_icon

JMTP11DN10A

-30V, -11A, 16m P-channel Power Trench MOSFET JMTP160P03D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V Halogen-free; RoHS-compliant VGS(th)_Typ -1.7 V Pb-free plating ID(@VGS=10V) -11 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 12 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 16 mW Load Switch PWM Application

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... JMTP045N03A , JMTP075N06A , JMTP080N04A , JMTP080N04D , JMTP080P03A , JMTP085P02A , JMTP110N06A , JMTP110N06D , IRLB4132 , JMTQ025N02A , JMTQ040N03A , JMTQ050N02A , JMTQ055N04A , JMTQ062N04A , JMTQ075N03D , JMTQ080P03A , JMSL0606AGD .

 

 
Back to Top

 


 
.