JMTP11DN10A - описание и поиск аналогов

 

JMTP11DN10A - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMTP11DN10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для JMTP11DN10A

 

JMTP11DN10A технические параметры

 ..1. Size:583K  jiejie micro
 jmtp11dn10a.pdf pdf_icon

JMTP11DN10A

JMTP11DN10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V, 3A Load Switch R

 8.1. Size:582K  jiejie micro
 jmtp110n06a.pdf pdf_icon

JMTP11DN10A

JMTP110N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,12A Load Switch R

 8.2. Size:1274K  jiejie micro
 jmtp110n06d.pdf pdf_icon

JMTP11DN10A

 9.1. Size:1383K  jiejie micro
 jmtp160p03d.pdf pdf_icon

JMTP11DN10A

-30V, -11A, 16m P-channel Power Trench MOSFET JMTP160P03D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V Halogen-free; RoHS-compliant VGS(th)_Typ -1.7 V Pb-free plating ID(@VGS=10V) -11 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 12 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 16 mW Load Switch PWM Application

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMTP045N03A , JMTP075N06A , JMTP080N04A , JMTP080N04D , JMTP080P03A , JMTP085P02A , JMTP110N06A , JMTP110N06D , IRLB4132 , JMTQ025N02A , JMTQ040N03A , JMTQ050N02A , JMTQ055N04A , JMTQ062N04A , JMTQ075N03D , JMTQ080P03A , JMSL0606AGD .

 

 
Back to Top

 


 
.