JMTP11DN10A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTP11DN10A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMTP11DN10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTP11DN10A даташит

 ..1. Size:583K  jiejie micro
 jmtp11dn10a.pdf pdf_icon

JMTP11DN10A

JMTP11DN10A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V, 3A Load Switch R

 8.1. Size:582K  jiejie micro
 jmtp110n06a.pdf pdf_icon

JMTP11DN10A

JMTP110N06A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 60V,12A Load Switch R

 8.2. Size:1274K  jiejie micro
 jmtp110n06d.pdf pdf_icon

JMTP11DN10A

 9.1. Size:1383K  jiejie micro
 jmtp160p03d.pdf pdf_icon

JMTP11DN10A

-30V, -11A, 16m P-channel Power Trench MOSFET JMTP160P03D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V Halogen-free; RoHS-compliant VGS(th)_Typ -1.7 V Pb-free plating ID(@VGS=10V) -11 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 12 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 16 mW Load Switch PWM Application

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTP045N03A, JMTP075N06A, JMTP080N04A, JMTP080N04D, JMTP080P03A, JMTP085P02A, JMTP110N06A, JMTP110N06D, IRLB4132, JMTQ025N02A, JMTQ040N03A, JMTQ050N02A, JMTQ055N04A, JMTQ062N04A, JMTQ075N03D, JMTQ080P03A, JMSL0606AGD