JMTQ055N04A Todos los transistores

 

JMTQ055N04A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTQ055N04A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 267 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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JMTQ055N04A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:482K  jiejie micro
 jmtq055n04a.pdf pdf_icon

JMTQ055N04A

JMTQ055N04ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 40V, 70A Load SwitchRDS(ON)

 8.1. Size:609K  jiejie micro
 jmtq050n02a.pdf pdf_icon

JMTQ055N04A

JMTQ050N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 50A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:508K  jiejie micro
 jmtq040n03a.pdf pdf_icon

JMTQ055N04A

JMTQ040N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 60A Load SwitchRDS(ON)

 9.2. Size:535K  jiejie micro
 jmtq075n03d.pdf pdf_icon

JMTQ055N04A

JMTQ075N03DDescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 25A Load SwitchRDS(ON)

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