JMTQ055N04A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTQ055N04A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 267 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0056 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMTQ055N04A
Principales características: JMTQ055N04A
jmtq055n04a.pdf
JMTQ055N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 70A Load Switch RDS(ON)
jmtq050n02a.pdf
JMTQ050N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 50A Load Switch RDS(ON)
jmtq040n03a.pdf
JMTQ040N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 60A Load Switch RDS(ON)
jmtq075n03d.pdf
JMTQ075N03D Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 25A Load Switch RDS(ON)
Otros transistores... JMTP080P03A , JMTP085P02A , JMTP110N06A , JMTP110N06D , JMTP11DN10A , JMTQ025N02A , JMTQ040N03A , JMTQ050N02A , 4435 , JMTQ062N04A , JMTQ075N03D , JMTQ080P03A , JMSL0606AGD , JMSL0606AGQ , JMSL0606AGWQ , JMSL0606AK , JMSL0606AKQ .
History: AP4G02LI | AP8P06S
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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