JMTQ055N04A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTQ055N04A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 267 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0056 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMTQ055N04A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTQ055N04A даташит

 ..1. Size:482K  jiejie micro
 jmtq055n04a.pdf pdf_icon

JMTQ055N04A

JMTQ055N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 70A Load Switch RDS(ON)

 8.1. Size:609K  jiejie micro
 jmtq050n02a.pdf pdf_icon

JMTQ055N04A

JMTQ050N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 50A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:508K  jiejie micro
 jmtq040n03a.pdf pdf_icon

JMTQ055N04A

JMTQ040N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 60A Load Switch RDS(ON)

 9.2. Size:535K  jiejie micro
 jmtq075n03d.pdf pdf_icon

JMTQ055N04A

JMTQ075N03D Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 25A Load Switch RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTP080P03A, JMTP085P02A, JMTP110N06A, JMTP110N06D, JMTP11DN10A, JMTQ025N02A, JMTQ040N03A, JMTQ050N02A, 4435, JMTQ062N04A, JMTQ075N03D, JMTQ080P03A, JMSL0606AGD, JMSL0606AGQ, JMSL0606AGWQ, JMSL0606AK, JMSL0606AKQ