JMSL0606AGD Todos los transistores

 

JMSL0606AGD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL0606AGD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 445 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L-D
 

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JMSL0606AGD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  jiejie micro
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JMSL0606AGD

JMSL0606AGD60V 6.4m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)1.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 55 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 6.4 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)7.6 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment

 4.1. Size:277K  1
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JMSL0606AGD

JMSL0606AG60V 4.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.8 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 97 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V)4.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V)5.2 mApplications Power Managerment in Telecom., Industrial

 4.2. Size:410K  jiejie micro
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JMSL0606AGD

JMSL0606AGQ60V 4.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 103 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)4.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Q

 4.3. Size:325K  jiejie micro
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JMSL0606AGD

JMSL0606AG60V 4.0m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 97 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V)4.0 m Pb-free Lead Plating RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V)5.2 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power

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History: JMTP11DN10A | IXFK44N80P

 

 
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