JMSL0606AGD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL0606AGD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 445 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L-D

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSL0606AGD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0606AGD даташит

 ..1. Size:284K  jiejie micro
 jmsl0606agd.pdf pdf_icon

JMSL0606AGD

JMSL0606AGD 60V 6.4m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th) 1.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 55 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 6.4 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 7.6 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment

 4.1. Size:277K  1
 jmsl0606ag.pdf pdf_icon

JMSL0606AGD

JMSL0606AG 60V 4.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.8 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 97 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V) 4.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V) 5.2 m Applications Power Managerment in Telecom., Industrial

 4.2. Size:410K  jiejie micro
 jmsl0606agq.pdf pdf_icon

JMSL0606AGD

JMSL0606AGQ 60V 4.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 103 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 4.0 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Q

 4.3. Size:325K  jiejie micro
 jmsl0606ag.pdf pdf_icon

JMSL0606AGD

JMSL0606AG 60V 4.0m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.8 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 97 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V) 4.0 m Pb-free Lead Plating RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V) 5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTP11DN10A, JMTQ025N02A, JMTQ040N03A, JMTQ050N02A, JMTQ055N04A, JMTQ062N04A, JMTQ075N03D, JMTQ080P03A, 13N50, JMSL0606AGQ, JMSL0606AGWQ, JMSL0606AK, JMSL0606AKQ, JMSL0606AP, JMSL0606AU, JMSL0606AUQ, JMSL0606PE