JMSL10130AY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMSL10130AY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.138 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMSL10130AY
Principales características: JMSL10130AY
jmsl10130ay.pdf
JMSL10130AY 100V 110m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low Gate Charge VDS 100 V Fast Switching VGS(th)_Typ 1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 5.9 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 110 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 137 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power
jmsl10130aud.pdf
JMSL10130AUD 100V 100m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 10 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 100 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 123 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Ma
jmsl10130apd.pdf
JMSL10130APD 100V 111m Dual N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low Gate Charge VDS 100 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 2.4 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 111 m Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 155 m Applications Power Managerment
jmsl10130ak.pdf
JMSL10130AK 100V 115m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Typ. Unit Low Gate Charge VDS 100 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th) 1.7 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 6A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 115 m Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 144 m Applications Power Managerment in Telecom., Industria
Otros transistores... JMSL1009PUN , JMSL10130AGD , JMSL10130AK , JMSL10130AL , JMSL10130AM , JMSL10130AP , JMSL10130APD , JMSL10130AUD , IRF2807 , JMSL10130PUD , JMSL1013AGD , JMSL1018AG , JMTK085P04A , JMTK100N02A , JMTK100N03A , JMTK100P03A , JMTK10N10A .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
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