JMSL10130AY datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JMSL10130AY 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.138 Ohm
Тип корпуса: SOT223
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для JMSL10130AY
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMSL10130AY даташит
jmsl10130ay.pdf
JMSL10130AY 100V 110m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low Gate Charge VDS 100 V Fast Switching VGS(th)_Typ 1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 5.9 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 110 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 137 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power
jmsl10130aud.pdf
JMSL10130AUD 100V 100m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 10 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 100 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 123 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Ma
jmsl10130apd.pdf
JMSL10130APD 100V 111m Dual N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low Gate Charge VDS 100 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 2.4 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 111 m Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 155 m Applications Power Managerment
jmsl10130ak.pdf
JMSL10130AK 100V 115m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Typ. Unit Low Gate Charge VDS 100 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th) 1.7 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 6A RDS(ON) (@ VGS = 10V) 115 m Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 144 m Applications Power Managerment in Telecom., Industria
Другие IGBT... JMSL1009PUN, JMSL10130AGD, JMSL10130AK, JMSL10130AL, JMSL10130AM, JMSL10130AP, JMSL10130APD, JMSL10130AUD, IRF2807, JMSL10130PUD, JMSL1013AGD, JMSL1018AG, JMTK085P04A, JMTK100N02A, JMTK100N03A, JMTK100P03A, JMTK10N10A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS65N25AKR | AOL1718 | BCD70N07A | BCD90N03 | BCD80N06 | T50N06 | H50N06 | BCD12N65 | BCT12N65 | BCD4N65 | BCT4N65 | BCD7N65 | BCT7N65 | BCT20N65 | ASDM30P100KQ | ASDM30N90Q
Popular searches
bd135 | d880 | 2n5457 equivalent | 2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058








