Справочник MOSFET. JMSL10130AY

 

JMSL10130AY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSL10130AY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.138 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для JMSL10130AY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL10130AY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:309K  jiejie micro
jmsl10130ay.pdfpdf_icon

JMSL10130AY

JMSL10130AY100V 110m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low Gate Charge VDS100 V Fast Switching VGS(th)_Typ1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 5.9 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 110 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)137 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power

 4.1. Size:289K  jiejie micro
jmsl10130aud.pdfpdf_icon

JMSL10130AY

JMSL10130AUD100V 100m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 10 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 100 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)123 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Ma

 4.2. Size:329K  jiejie micro
jmsl10130apd.pdfpdf_icon

JMSL10130AY

JMSL10130APD100V 111m Dual N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low Gate Charge VDS100 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)_Typ1.7 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 2.4 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)111 m Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)155 mApplications Power Managerment

 4.3. Size:334K  jiejie micro
jmsl10130ak.pdfpdf_icon

JMSL10130AY

JMSL10130AK100V 115m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Typ. Unit Low Gate Charge VDS100 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested VGS(th)1.7 V Pb-free Lead Plating ID (@ VGS = 10V) (1) 6A RDS(ON) (@ VGS = 10V)115 m Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)144 mApplications Power Managerment in Telecom., Industria

Другие MOSFET... JMSL1009PUN , JMSL10130AGD , JMSL10130AK , JMSL10130AL , JMSL10130AM , JMSL10130AP , JMSL10130APD , JMSL10130AUD , IRFB31N20D , JMSL10130PUD , JMSL1013AGD , JMSL1018AG , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.