JMTK085P04A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTK085P04A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 625 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0092 Ohm

Encapsulados: TO252

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JMTK085P04A datasheet

 ..1. Size:413K  jiejie micro
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JMTK085P04A

JMTK085P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -40V, I = -70A PWM Applications DS D R

 8.1. Size:929K  jiejie micro
 jmtk080p03a.pdf pdf_icon

JMTK085P04A

JMTK080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -60A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:1320K  jiejie micro
 jmtk060p03a.pdf pdf_icon

JMTK085P04A

-30V, -90A, 4.2m P-channel Power Trench MOSFET JMTK060P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS -30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ -1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -90 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 4.2 mW Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 6.3 mW Applications Load Switc

 9.2. Size:1297K  jiejie micro
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JMTK085P04A

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