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JMTK085P04A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTK085P04A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 90 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 88 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 625 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0092 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMTK085P04A

 

Principales características: JMTK085P04A

 ..1. Size:413K  jiejie micro
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JMTK085P04A

JMTK085P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -40V, I = -70A PWM Applications DS D R

 8.1. Size:929K  jiejie micro
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JMTK085P04A

JMTK080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -60A Load Switch RDS(ON)

 9.1. Size:1320K  jiejie micro
 jmtk060p03a.pdf pdf_icon

JMTK085P04A

-30V, -90A, 4.2m P-channel Power Trench MOSFET JMTK060P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS -30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ -1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -90 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 4.2 mW Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 6.3 mW Applications Load Switc

 9.2. Size:1297K  jiejie micro
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JMTK085P04A

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