JMTK085P04A - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTK085P04A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 88 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 625 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для JMTK085P04A
JMTK085P04A технические параметры
jmtk085p04a.pdf
JMTK085P04A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V = -40V, I = -70A PWM Applications DS D R
jmtk080p03a.pdf
JMTK080P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -60A Load Switch RDS(ON)
jmtk060p03a.pdf
-30V, -90A, 4.2m P-channel Power Trench MOSFET JMTK060P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS -30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ -1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -90 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 4.2 mW Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 6.3 mW Applications Load Switc
Другие MOSFET... JMSL10130AM , JMSL10130AP , JMSL10130APD , JMSL10130AUD , JMSL10130AY , JMSL10130PUD , JMSL1013AGD , JMSL1018AG , 8N60 , JMTK100N02A , JMTK100N03A , JMTK100P03A , JMTK10N10A , JMTK3006B , JMTK3006C , JMTK3006D , JMTK3006E .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet | a92 transistor









