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JMSL0611PGD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL0611PGD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 22 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 371 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L-D

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET JMSL0611PGD

 

Principales características: JMSL0611PGD

 ..1. Size:1307K  jiejie micro
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JMSL0611PGD

60V, 31A, 13.7m Dual N-channel Power SGT MOSFET JMSL0611PGD Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 31 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 10.7 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 13.7 mW Load Switch PWM Application

 4.1. Size:1271K  jiejie micro
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JMSL0611PGD

60V, 69A, 12.3m N-channel Power SGT MOSFET JMSL0611PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 69 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 9.1 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 12.3 mW Applications Load Switch PW

 5.1. Size:1379K  jiejie micro
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JMSL0611PGD

 5.2. Size:1234K  jiejie micro
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JMSL0611PGD

60V, 34A, 12.2m N-channel Power SGT MOSFET JMSL0611PU Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 34 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 9.0 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 12.2 mW Applications Load Switch PW

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History: JMSL0611PP

 

 
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