JMTK70N07A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTK70N07A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 208 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de JMTK70N07A MOSFET
JMTK70N07A Datasheet (PDF)
jmtk70n07a.pdf
68V, 80A, 7.3m N-channel Power Trench MOSFETJMTK70N07AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 68 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 80 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.3 mW Pb-free platingApplications Load Switch PWM Application Power Manag
jmtk75n02a.pdf
JMTK75N02ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 20V, 75A Load SwitchRDS(ON)
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History: IRFZ24NSPBF | IPT60R022S7 | STP4N150 | IRF1018EPBF | FDD45AN06LA0 | JMSH1018PE | SI1304BDL
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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