JMTK70N07A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTK70N07A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 68 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 208 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0086 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de JMTK70N07A MOSFET
JMTK70N07A datasheet
jmtk70n07a.pdf
68V, 80A, 7.3m N-channel Power Trench MOSFET JMTK70N07A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 68 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 80 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.3 mW Pb-free plating Applications Load Switch PWM Application Power Manag
jmtk75n02a.pdf
JMTK75N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 75A Load Switch RDS(ON)
Otros transistores... JMTK480N06A , JMTK500N10A , JMTK50N03A , JMTK50N06B , JMTK50P02A , JMTK50P03A , JMTK58N06B , JMTK60N04B , IRFP260N , JMTK75N02A , JMTK80N06A , JMTK90N02A , JMTQ100N03A , JMTQ100N03D , JMTQ100N04A , JMTQ100P03A , JMTQ11DN10A .
History: HM2309DR | SM6A08NSF | HM25N06D
History: HM2309DR | SM6A08NSF | HM25N06D
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOK065V65X2 | AOK065V120X2 | AOK033V120X2Q | AOK033V120X2 | AOB380A60L | AOB29S50L | AO3481C | AO3480 | APG068N04Q | APG068N04G | APG060N85D | APG054N10D | APG054N10 | APG050N85D | APG050N85 | APG046N01G
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