JMTK70N07A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTK70N07A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 68 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 208 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0086 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMTK70N07A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTK70N07A даташит

 ..1. Size:1170K  jiejie micro
jmtk70n07a.pdfpdf_icon

JMTK70N07A

68V, 80A, 7.3m N-channel Power Trench MOSFET JMTK70N07A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 68 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 80 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 7.3 mW Pb-free plating Applications Load Switch PWM Application Power Manag

 9.1. Size:1172K  jiejie micro
jmtk75n02a.pdfpdf_icon

JMTK70N07A

JMTK75N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 75A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... JMTK480N06A, JMTK500N10A, JMTK50N03A, JMTK50N06B, JMTK50P02A, JMTK50P03A, JMTK58N06B, JMTK60N04B, IRFZ44, JMTK75N02A, JMTK80N06A, JMTK90N02A, JMTQ100N03A, JMTQ100N03D, JMTQ100N04A, JMTQ100P03A, JMTQ11DN10A