JMTQ100N03D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTQ100N03D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.1 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 131 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0129 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3-8L-D

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JMTQ100N03D datasheet

 ..1. Size:1399K  jiejie micro
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JMTQ100N03D

 4.1. Size:1101K  jiejie micro
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JMTQ100N03D

JMTQ100N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 25A Load Switch RDS(ON)

 5.1. Size:608K  jiejie micro
 jmtq100n04a.pdf pdf_icon

JMTQ100N03D

JMTQ100N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 30A Load Switch RDS(ON)

 7.1. Size:1355K  jiejie micro
 jmtq100p03a.pdf pdf_icon

JMTQ100N03D

-30V,-40A, 9.3m P-channel Power Trench MOSFET JMTQ100P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -40 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 6.4 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 9.3 mW Applications Load Swi

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