JMTQ100N03D - описание и поиск аналогов

 

Аналоги JMTQ100N03D. Основные параметры


   Наименование производителя: JMTQ100N03D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0129 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L-D
 

 Аналог (замена) для JMTQ100N03D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTQ100N03D даташит

 ..1. Size:1399K  jiejie micro
 jmtq100n03d.pdf pdf_icon

JMTQ100N03D

 4.1. Size:1101K  jiejie micro
 jmtq100n03a.pdf pdf_icon

JMTQ100N03D

JMTQ100N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 25A Load Switch RDS(ON)

 5.1. Size:608K  jiejie micro
 jmtq100n04a.pdf pdf_icon

JMTQ100N03D

JMTQ100N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 30A Load Switch RDS(ON)

 7.1. Size:1355K  jiejie micro
 jmtq100p03a.pdf pdf_icon

JMTQ100N03D

-30V,-40A, 9.3m P-channel Power Trench MOSFET JMTQ100P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -40 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 6.4 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 9.3 mW Applications Load Swi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMTK50P03A , JMTK58N06B , JMTK60N04B , JMTK70N07A , JMTK75N02A , JMTK80N06A , JMTK90N02A , JMTQ100N03A , AON6414A , JMTQ100N04A , JMTQ100P03A , JMTQ11DN10A , JMSL0611PU , JMSL0611PUD , JMSL06120UQ , JMSL0612AG , JMSL0612AGQ .

History: 2N65L-T2Q-T | JMSL0611PUD

 

 
Back to Top

 


 
.