JMTQ100N03D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTQ100N03D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 131 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0129 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L-D

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMTQ100N03D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTQ100N03D даташит

 ..1. Size:1399K  jiejie micro
 jmtq100n03d.pdf pdf_icon

JMTQ100N03D

 4.1. Size:1101K  jiejie micro
 jmtq100n03a.pdf pdf_icon

JMTQ100N03D

JMTQ100N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 25A Load Switch RDS(ON)

 5.1. Size:608K  jiejie micro
 jmtq100n04a.pdf pdf_icon

JMTQ100N03D

JMTQ100N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 30A Load Switch RDS(ON)

 7.1. Size:1355K  jiejie micro
 jmtq100p03a.pdf pdf_icon

JMTQ100N03D

-30V,-40A, 9.3m P-channel Power Trench MOSFET JMTQ100P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -40 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 6.4 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 9.3 mW Applications Load Swi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTK50P03A, JMTK58N06B, JMTK60N04B, JMTK70N07A, JMTK75N02A, JMTK80N06A, JMTK90N02A, JMTQ100N03A, 10N60, JMTQ100N04A, JMTQ100P03A, JMTQ11DN10A, JMSL0611PU, JMSL0611PUD, JMSL06120UQ, JMSL0612AG, JMSL0612AGQ