JMTQ100P03A Todos los transistores

 

JMTQ100P03A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTQ100P03A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 28 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 62 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 397 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0094 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

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JMTQ100P03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1355K  jiejie micro
 jmtq100p03a.pdf pdf_icon

JMTQ100P03A

-30V,-40A, 9.3m P-channel Power Trench MOSFETJMTQ100P03AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS -30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=-10V) -40 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 6.4 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 9.3 mW Applications Load Swi

 7.1. Size:1399K  jiejie micro
 jmtq100n03d.pdf pdf_icon

JMTQ100P03A

30V, 34A, 13.5m N-channel Power Trench MOSFETJMTQ100N03DProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 30 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 34 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 9.9 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 13.5 mWApplications Load Switch

 7.2. Size:1101K  jiejie micro
 jmtq100n03a.pdf pdf_icon

JMTQ100P03A

JMTQ100N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 25A Load SwitchRDS(ON)

 7.3. Size:608K  jiejie micro
 jmtq100n04a.pdf pdf_icon

JMTQ100P03A

JMTQ100N04ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 40V, 30A Load SwitchRDS(ON)

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