JMTQ100P03A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTQ100P03A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 62 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 397 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0094 Ohm

Тип корпуса: PDFN3X3-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMTQ100P03A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTQ100P03A даташит

 ..1. Size:1355K  jiejie micro
 jmtq100p03a.pdf pdf_icon

JMTQ100P03A

-30V,-40A, 9.3m P-channel Power Trench MOSFET JMTQ100P03A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -30 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -40 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 6.4 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 9.3 mW Applications Load Swi

 7.1. Size:1399K  jiejie micro
 jmtq100n03d.pdf pdf_icon

JMTQ100P03A

 7.2. Size:1101K  jiejie micro
 jmtq100n03a.pdf pdf_icon

JMTQ100P03A

JMTQ100N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 25A Load Switch RDS(ON)

 7.3. Size:608K  jiejie micro
 jmtq100n04a.pdf pdf_icon

JMTQ100P03A

JMTQ100N04A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 40V, 30A Load Switch RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTK60N04B, JMTK70N07A, JMTK75N02A, JMTK80N06A, JMTK90N02A, JMTQ100N03A, JMTQ100N03D, JMTQ100N04A, IRFB4227, JMTQ11DN10A, JMSL0611PU, JMSL0611PUD, JMSL06120UQ, JMSL0612AG, JMSL0612AGQ, JMSL0612AK, JMSL0612AKQ