JMSL1018PG Todos los transistores

 

JMSL1018PG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMSL1018PG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 94 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 329 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0167 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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JMSL1018PG datasheet

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JMSL1018PG

100V, 54A, 18.2m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1018PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 100 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 54 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 12.8 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 18.2 mW Applications Load Switch

 0.1. Size:1206K  jiejie micro
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JMSL1018PG

 0.2. Size:1179K  jiejie micro
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JMSL1018PG

100V, 27A, 19m Dual N-channel Power SGT MOSFET JMSL1018PGD Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 27 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 14 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 19 mW Load Switch PWM Application

 5.1. Size:1250K  jiejie micro
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JMSL1018PG

100V, 39A, 18m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1018PKQ Product Summary Features Low ON-resistance RDS(ON) Parameters Value Unit Excellent Gate Charge VDSS 100 V VGS(th)_Typ 100% UIS Tested 1.6 V ID(@VGS=10V) 39 A 100% Vds Tested RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 13 mW Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=6.0V 15 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V

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History: AO4832 | TMP4N65AZ

 

 
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