JMSL1018PGD Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL1018PGD  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 329 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L-D

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JMSL1018PGD datasheet

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JMSL1018PGD

100V, 27A, 19m Dual N-channel Power SGT MOSFET JMSL1018PGD Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 27 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 14 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 19 mW Load Switch PWM Application

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JMSL1018PGD

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JMSL1018PGD

100V, 54A, 18.2m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1018PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 100 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 54 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 12.8 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 18.2 mW Applications Load Switch

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JMSL1018PGD

100V, 39A, 18m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1018PKQ Product Summary Features Low ON-resistance RDS(ON) Parameters Value Unit Excellent Gate Charge VDSS 100 V VGS(th)_Typ 100% UIS Tested 1.6 V ID(@VGS=10V) 39 A 100% Vds Tested RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 13 mW Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=6.0V 15 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V

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