JMTG120C03D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTG120C03D 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L-D

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Búsqueda de reemplazo de JMTG120C03D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

JMTG120C03D datasheet

..1. Size:510K jiejie micro
jmtg120c03d.pdf pdf_icon

JMTG120C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 11.5A Battery Protection R

9.1. Size:1250K jiejie micro
jmtg170n06a.pdf pdf_icon

9.2. Size:1352K jiejie micro
jmtg130p04a.pdf pdf_icon

-40V, -69A, 10.2m P-channel Power Trench MOSFET JMTG130P04A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -69 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 8.3 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 10.2 mW Applications Load Switch PWM Applicat

9.3. Size:628K jiejie micro
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