JMTG120C03D Todos los transistores

 

JMTG120C03D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTG120C03D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L-D
 

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JMTG120C03D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:510K  jiejie micro
 jmtg120c03d.pdf pdf_icon

JMTG120C03D

JMTG120C03DDescriptionJMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Application N-Channel: 30V, 11.5A Battery ProtectionR

 9.1. Size:1250K  jiejie micro
 jmtg170n06a.pdf pdf_icon

JMTG120C03D

60V, 40A, 14.6m N-channel Power Trench MOSFETJMTG170N06AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 60 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 40 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 12.6 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 14.6 mWApplications Load Switch

 9.2. Size:1352K  jiejie micro
 jmtg130p04a.pdf pdf_icon

JMTG120C03D

-40V, -69A, 10.2m P-channel Power Trench MOSFETJMTG130P04AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS -40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ -1.5 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=-10V) -69 ARDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 8.3 mWRDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 10.2 mWApplications Load Switch PWM Applicat

 9.3. Size:628K  jiejie micro
 jmtg100n03a.pdf pdf_icon

JMTG120C03D

JMTG100N03ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 30A Load SwitchRDS(ON)

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