JMTG120C03D datasheet, аналоги, параметры транзистора

JMTG120C03D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTG120C03D 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 112 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L-D

📄📄 Копировать

Аналог (замена) для JMTG120C03D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

JMTG120C03D даташит

..1. Size:510K jiejie micro
jmtg120c03d.pdf pdf_icon

JMTG120C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 11.5A Battery Protection R

9.1. Size:1250K jiejie micro
jmtg170n06a.pdf pdf_icon

9.2. Size:1352K jiejie micro
jmtg130p04a.pdf pdf_icon

-40V, -69A, 10.2m P-channel Power Trench MOSFET JMTG130P04A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS -40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ -1.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=-10V) -69 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-10V 8.3 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 10.2 mW Applications Load Switch PWM Applicat

9.3. Size:628K jiejie micro
jmtg100n03a.pdf pdf_icon