JMTG200C03D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTG200C03D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L-D
Búsqueda de reemplazo de JMTG200C03D MOSFET
JMTG200C03D datasheet
jmtg200c03d.pdf
30V, 11A&-11A, 21m &20m N And P-channel Power Trench MOSFET JMTG200C03D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters N P Unit 100% UIS TESTED VDSS 30 -30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.7 -1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 11 -11 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 15 15 Pb-free plating mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 21 20 mW Ap
jmtg28dn10d.pdf
JMTG28DN10D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V,4.5A Load Switch R
Otros transistores... JMSL10380G , JMSL10380P , JMSL10380U , JMSL10380Y , JMTG120C03D , JMTG130P04A , JMTG170C04D , JMTG170N06A , IRFP250 , JMTG28DN10D , JMTG3003A , JMTG3005A , JMTG3005B , JMTG3005C , JMTG3008A , JMTG3008D , JMTG320N10A .
History: HP80N80 | KI5406DC
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AOK065V65X2 | AOK065V120X2 | AOK033V120X2Q | AOK033V120X2 | AOB380A60L | AOB29S50L | AO3481C | AO3480 | APG068N04Q | APG068N04G | APG060N85D | APG054N10D | APG054N10 | APG050N85D | APG050N85 | APG046N01G
Popular searches
tip127 datasheet | irlz24n | irf620 | irfp350 | 13003 transistor | c458 transistor | 2sc1775 | 2n1305