JMTG200C03D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTG200C03D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 71 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L-D
Búsqueda de reemplazo de JMTG200C03D MOSFET
JMTG200C03D Datasheet (PDF)
jmtg200c03d.pdf
30V, 11A&-11A, 21m&20m N And P-channel Power Trench MOSFETJMTG200C03D Product SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters N P Unit 100% UIS TESTEDVDSS 30 -30 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 1.7 -1.7 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 11 -11 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 15 15 Pb-free plating mWRDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 21 20 mWAp
jmtg28dn10d.pdf
JMTG28DN10DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 100V,4.5A Load SwitchR
Otros transistores... JMSL10380G , JMSL10380P , JMSL10380U , JMSL10380Y , JMTG120C03D , JMTG130P04A , JMTG170C04D , JMTG170N06A , STF13NM60N , JMTG28DN10D , JMTG3003A , JMTG3005A , JMTG3005B , JMTG3005C , JMTG3008A , JMTG3008D , JMTG320N10A .
Liste
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