JMTG28DN10D Todos los transistores

 

JMTG28DN10D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JMTG28DN10D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.295 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L-D
 

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JMTG28DN10D datasheet

 ..1. Size:356K  jiejie micro
 jmtg28dn10d.pdf pdf_icon

JMTG28DN10D

JMTG28DN10D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V,4.5A Load Switch R

 9.1. Size:1408K  jiejie micro
 jmtg200c03d.pdf pdf_icon

JMTG28DN10D

30V, 11A&-11A, 21m &20m N And P-channel Power Trench MOSFET JMTG200C03D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters N P Unit 100% UIS TESTED VDSS 30 -30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.7 -1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 11 -11 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 15 15 Pb-free plating mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 21 20 mW Ap

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History: JMSL1008AC | JMTG100N04A

 

 
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