JMTG28DN10D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMTG28DN10D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 10 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.295 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L-D

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JMTG28DN10D datasheet

 ..1. Size:356K  jiejie micro
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JMTG28DN10D

JMTG28DN10D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V,4.5A Load Switch R

 9.1. Size:1408K  jiejie micro
 jmtg200c03d.pdf pdf_icon

JMTG28DN10D

30V, 11A&-11A, 21m &20m N And P-channel Power Trench MOSFET JMTG200C03D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters N P Unit 100% UIS TESTED VDSS 30 -30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.7 -1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 11 -11 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 15 15 Pb-free plating mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 21 20 mW Ap

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