JMTG28DN10D - описание и поиск аналогов

 

Аналоги JMTG28DN10D. Основные параметры


   Наименование производителя: JMTG28DN10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.295 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L-D
 

 Аналог (замена) для JMTG28DN10D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTG28DN10D даташит

 ..1. Size:356K  jiejie micro
 jmtg28dn10d.pdf pdf_icon

JMTG28DN10D

JMTG28DN10D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V,4.5A Load Switch R

 9.1. Size:1408K  jiejie micro
 jmtg200c03d.pdf pdf_icon

JMTG28DN10D

30V, 11A&-11A, 21m &20m N And P-channel Power Trench MOSFET JMTG200C03D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters N P Unit 100% UIS TESTED VDSS 30 -30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.7 -1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 11 -11 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 15 15 Pb-free plating mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 21 20 mW Ap

Другие MOSFET... JMSL10380P , JMSL10380U , JMSL10380Y , JMTG120C03D , JMTG130P04A , JMTG170C04D , JMTG170N06A , JMTG200C03D , IRF1407 , JMTG3003A , JMTG3005A , JMTG3005B , JMTG3005C , JMTG3008A , JMTG3008D , JMTG320N10A , JMTG4004A .

History: KMA2D7DP20X

 

 
Back to Top

 


 
.