JMTG28DN10D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTG28DN10D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.295 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L-D

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMTG28DN10D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTG28DN10D даташит

 ..1. Size:356K  jiejie micro
 jmtg28dn10d.pdf pdf_icon

JMTG28DN10D

JMTG28DN10D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 100V,4.5A Load Switch R

 9.1. Size:1408K  jiejie micro
 jmtg200c03d.pdf pdf_icon

JMTG28DN10D

30V, 11A&-11A, 21m &20m N And P-channel Power Trench MOSFET JMTG200C03D Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters N P Unit 100% UIS TESTED VDSS 30 -30 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 1.7 -1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 11 -11 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 15 15 Pb-free plating mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 21 20 mW Ap

Другие IGBT... JMSL10380P, JMSL10380U, JMSL10380Y, JMTG120C03D, JMTG130P04A, JMTG170C04D, JMTG170N06A, JMTG200C03D, 10N65, JMTG3003A, JMTG3005A, JMTG3005B, JMTG3005C, JMTG3008A, JMTG3008D, JMTG320N10A, JMTG4004A